《南京师大学报(自然科学版)》
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source/drain parasitic resistance
的文章
1
一种提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的恒定迁移率方法
鲁明亮
1
,陶永春
2
2018年01期 [50-][
摘要
](
2586
)
[
pdf
1233KB]
(
2976
)
DOI:
10.3969/j.issn.1001-4616.2018.01.010